Central Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 (CMUDM8001 TR)
Part Number: CMUDM8001 TR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
- Vgs (Max): 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 45pF @ 3V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 250mW (Ta)
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-523
- Корпус: SOT-523
Цена по запросу